介質(zhì)損耗試驗(yàn)測量的是是介質(zhì)損失角正切值或功率因素，在外加交流電壓的作用下，絕緣介質(zhì)就流過電流，電流在介質(zhì)中產(chǎn)生能量損耗，這種損耗稱為介質(zhì)損耗。介質(zhì)損耗很大時(shí)，就會(huì)使介質(zhì)的溫度升高而老化，甚至導(dǎo)致熱擊穿。因此，介質(zhì)損耗的大小就反映了介質(zhì)的優(yōu)劣狀況。
影響因素：
1、溫度的影響。tgδ值受溫度影響而變化，為了比較試驗(yàn)結(jié)果，對(duì)同一設(shè)備在不同溫度下的變化必須將結(jié)果歸算到一個(gè)公共的基準(zhǔn)溫度，一般歸算到20℃
2、濕度的影響。在不同的濕度下測得的值也是有差別的，應(yīng)在空氣相對(duì)濕度小于80%下進(jìn)行試驗(yàn)。
3、絕緣的清潔度和表面泄漏電流的影響。這可以用清潔和干燥外表面來將損失減到小，也可采用涂硅油等辦法來削除這種影響。
分析判斷：
1、和《電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》的要求值作比較。
2、對(duì)逐年的試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)進(jìn)行比較，在兩個(gè)試驗(yàn)間隔之間的試驗(yàn)測量值不應(yīng)該有明顯的變化。
3、當(dāng)tgδ值未超過規(guī)定值時(shí)，可以補(bǔ)充測量電容量來分析，電容量不應(yīng)該有明顯的變化。
4、應(yīng)充分考慮溫度等的影響，并進(jìn)行修正。
5、通過測tgδ=f(U)的曲線，觀察tgδ是否隨電壓而上升，來判斷絕緣內(nèi)部是否有分層、裂紋等缺陷。